Specification
產品名稱 | 規格 | |||
PURITY | PACKAGE | VALVE | CONTENT | |
CHF3 | 5N | 47L | DISS716 | 30 |
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在半導體產業中,應用在二氧化矽及氮化矽的電漿蝕刻(plasma etching)中,也是一種製冷劑,名稱為R-23或HFC-23,因為其不含氯,不會造成臭氧層破洞,有時會用來會取代造成臭氧層破洞的三氟氯甲烷(cfc-13)。
產品名稱 | 規格 | |||
PURITY | PACKAGE | VALVE | CONTENT | |
CHF3 | 5N | 47L | DISS716 | 30 |